在中國閃存市場峰會 CMFS2019 中， Samsung 宣佈正式量產第 6 代 V-NAND ，並於同場展出世界首款獲 AMD 及 ODCC 認證的 PCIe 4.0 NVMe SSD ，將提供高達 128K 的讀寫性能，是現有 PCIe 3.0 產品的 2 倍。
高達 136 層的 V-NAND
Samsung 的 V-NAND 3D Flash 自 2013 年推出以來，至今發展至第 6 代，在 Samsung 的產品規劃更至第 10 代的產品。第 6 代 V-NAND 將提供高達 136 層架構，大大提高容量，而且速度方面達到 1200Mbps ，也比上一代產品的 500~800Mbp 為高。在場 Samsung 表示，隨著智慧城市及 5G 技術的發展，將對於存儲產品提出更高的性能要求，像 AR/VR 、 IoT 及 4K 應用往往需要 1GB/s 以上的性能，這是新產品的用武之地。
同場展出 PMI733 PCIe 4.0 NVMe
同場 Samsung 還展出 PMI733 PCIe 4.0 NVMe SSD 產品，以企業存儲為主。該款產品也是世界首款獲 AMD 及 ODCC 認證的 PCIe 4.0 NVMe SSD ，存儲性能極高，在 Seq. Read 及 Seq. Write 最高均達到 128K 以上，是 PMI723b PCIe 3.0 NVMe SSD 的 2 倍以上。新產品主要配合 AMD 新出的 EPYC 7002 7nm Server/Workstation 為主，針對的應用包括 8KB Video Editing 、 AI 、 Deep Learning 及 100/400GbE 網絡等等。
