三星電子宣布以 12nm 製程技術，開發出業界首款最高容量的 32Gb DDR5 DRAM 顆粒，在同樣封裝尺寸下，容量是上一代的 16Gb 顆粒的兩倍。這令生產 128GB DRAM 模塊時不需要使用矽穿孔 （TSV）技術，同時令功耗降低 10％。新產品還能為達到最高 1TB 容量的 DRAM 模塊鋪路。
三星計劃在今年年底開始量產 12nm 級 32Gb DDR5 DRAM 顆粒，以滿足人工智能和下一代計算等應用對大容量 DRAM 的各種行業需求。三星電子 DRAM 產品與技術執行副總裁 SangJoon Hwang 表示，三星將繼續運用出眾的工藝和設計技術，開發 DRAM 解決方案，打破內存技術的界限。
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