IBM 日前公布與 Samsung Electronics 合作，發表突破性晶片設計技術「垂直傳輸納米片場效能晶體管（ VTFET ）」，宣稱可以令摩爾定律維持數年。
摩爾定律是指科學家戈登．摩爾認為集成電路的電晶體數目、電腦遫度和容量每隔兩年可以翻倍，但現在可以擠在一片晶片上的電晶體數量差不多已達到極限。 VTFET 設計與將電晶體堆疊在晶圓表面的 FinFET 不同，電晶體以層狀的方式垂直堆疊在晶圓，電流在晶圓表面垂直流動，以緩解電晶體閘極長度、隔離層厚度和接點尺寸的物理限制。較現時 FinFET 設計，效能提升 2 倍，耗能減少 85% 。
IBM 的影片中指出，新設計的晶片可以提升電子產品的效能，例如可以令手機電池只需每星期充電一次而不是每日充電，太空船、自動駕駛汽車和海上浮標等物聯網產品亦有可能因為新電晶體設計而受惠。
除了 VTFET 設計之外， IBM 亦在今年 5 月發表 2nm 製程半導體技術。
