SK hynix 宣佈已完成 176 層 512 Gigabit TLC 4D NAND Flash 產品設計，再次刷新 NAND Flash 密度紀錄。相比之下，目前主流的 TLC NAND Flash 主要為 96 層設計，可以說 176 層 TLC NAND Flash 可以提供相當於一倍的儲存密度。據 SK hynix 表示，該產品最大的特色是採用自 2018 年以來推出的 4D NAND Flash 技術，特點是結合 Charge Trap Flash (CTF) 及可提升集成度的 Peri. Under Cell (PUC) 技術，因此能夠提供比競爭對手多 35% 的每 bit 儲存密度，並採用 2-division cell array selection technology 較上一代產品多 20% 的讀寫效能，而傳輸速度也可增加 33% 至 1.6Gbps 。 SK hynix 預計在明年年中先在 Mobile 市場推出相關產品，隨後會考慮到消費及企業市場推出相關產品。
